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讲座通知:基于导电聚合物的硅通孔金属化方法及其在射频领域的应用

作者:杨涵点击:252时间:2019-06-25

讲座题目:基于导电聚合物的硅通孔金属化方法及其在射频领域的应用

报告人:邱阳

时间2019年6月26日09:30

地点:雅各楼216会议室

欢迎各位师生踊跃参加!

 

主讲人介绍

邱阳,1989年8月出生,湖北武汉人,201年6月加拿大阿尔伯塔大学博士毕业。自2011年以来长期从事芯片封装、压力传感器和金属3D打印等相关的研究工作。目前在封装领域知名学术期刊IEEE Transactions on Components, packaging and Manufacturing Technologies, Journal of Microelectromechanical Systems,Journal of Materials Processing Technology等上发表学术期刊论文8篇,并担任 IEEE Transactions on Magnetics, International Journal of Communications Systems审稿,先后参与国家自然科学基金项目,国家863项目五项。2018年9月至今,受聘于加拿大第二大芯片代工公司Micralyne Inc。

 

摘要

由于能极为有效地为多层堆叠的芯片提供信号交换通道,硅通孔技术被认为是三维集成电路发展过程中的一个重要里程碑。电镀铜技术,作为硅通孔金属化过程中的一个极为关键的环节,存在诸多不足,例如工艺周期长、参数不易控制、存在较大环境污染。同时,对于多层芯片的堆叠,在层与层之间的结合面上,也可能出现断路或者较高的接触电阻。这一列问题,不仅会导致最终的元器件失效,而且也阻碍硅通孔技术自身的发展。

利用导电聚合物,作为电镀铜的替代物,在真空负压的帮助下,能快速填充硅通孔,极大提高其金属化效率。同时,将传统的重布层中的焊盘和导线替换为嵌入到下层基板中的用导电聚合物金属化的沟槽之后,界面间的连接质量可以大为改善,同时生产效率也大为提高。最后,载基板波导的制作也可以受益于这种基于导电胶金属化的硅通孔结构。